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我国拟打造第三代半导体研发及产业化创新平台

本文摘要:近日,彩虹蓝光-北京大学协同创意中心签下仪式在安徽合肥举办。双方将联手打造出我国第三代半导体研发及产业化的最重要创意平台。 半导体作为在常温下介于导体和绝缘体之间的材料,普遍应用于测温等领域。随着社会的大大发展,半导体不论是在科技或是经济方面,都具备极大的起到。为寻求半导体产业高地,世界各国争相减缓研究步伐。 其中,以GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体材料及器件的研发是新兴半导体产业的核心和基础,其研究研发呈现日新月异的发展势态。

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近日,彩虹蓝光-北京大学协同创意中心签下仪式在安徽合肥举办。双方将联手打造出我国第三代半导体研发及产业化的最重要创意平台。

  半导体作为在常温下介于导体和绝缘体之间的材料,普遍应用于测温等领域。随着社会的大大发展,半导体不论是在科技或是经济方面,都具备极大的起到。为寻求半导体产业高地,世界各国争相减缓研究步伐。

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其中,以GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体材料及器件的研发是新兴半导体产业的核心和基础,其研究研发呈现日新月异的发展势态。  此次安徽合肥联手中国电子,著手打造出彩虹蓝光北京大学协同创意中心,也是大力部署第三代半导体创意高地,实施科技强国战略,助力我国创意产业发展的展现出。

  据报,此次彩虹蓝光-北京大学协同创意中心的建设将分成两期,先期将重点放到人才引入以及实验室硬件条件打造出上,同时以电子材料和器件技术研发为重点,逐步打造出我国第三代半导体研发平台。


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